Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4

Mykhailo Valakh; Alexander P. Litvinchuk; Yevhenii Havryliuk; Volodymyr Yukhymchuk; Volodymyr Dzhagan; Dmytro Solonenko; Sergei A. Kulinich; Lyudmyla Piskach; Yuriy Kogut; Lu He; Dietrich R. T. Zahn

doi:10.3390/cryst13010148

Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4

Mykhailo Valakh, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich, Lyudmyla Piskach, Yuriy Kogut, Lu He, Dietrich R. T. Zahn

Thin Film Technologies (TFT)

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Originalsprache	undefiniert/unbekannt
Fachzeitschrift	Crystals
DOIs	https://doi.org/10.3390/cryst13010148
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 14 Jän. 2023

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10.3390/cryst13010148

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TY - JOUR

T1 - Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4

AU - Valakh, Mykhailo

AU - Litvinchuk, Alexander P.

AU - Havryliuk, Yevhenii

AU - Yukhymchuk, Volodymyr

AU - Dzhagan, Volodymyr

AU - Solonenko, Dmytro

AU - Kulinich, Sergei A.

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AU - Zahn, Dietrich R. T.

PY - 2023/1/14

Y1 - 2023/1/14

UR - https://doi.org/10.3390/cryst13010148

U2 - 10.3390/cryst13010148

DO - 10.3390/cryst13010148

M3 - Artikel

JO - Crystals

JF - Crystals

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