Micro-Raman spectroscopy as a tool for the characterization of silicon carbide in power semiconductor material processing

M. De Biasio, M. Kraft, M. Schultz, B. Goller, D. Sternig, R. Esteve, M. Roesner

Publikation: Konferenzband/Beitrag in Buch/BerichtKonferenzartikelBegutachtung

OriginalspracheEnglisch
TitelNext-Generation Spectroscopic Technologies X
Redakteure/-innenMark A. Druy, Richard A. Crocombe, Steven M. Barnett, Luisa T. Profeta
Seiten168 - 173
Band10210
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2017

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