Originalsprache | undefiniert/unbekannt |
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Fachzeitschrift | Applied Physics Letters |
DOIs | |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2014 |
Fixed interface charges between AlGaN barrier and gate stack composed of in situ grown SiN and Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with normally off capability
M. Capriotti, A. Alexewicz, C. Fleury, M. Gavagnin, O. Bethge, D. Visalli, J. Derluyn, H.D. Wanzenböck, E. Bertagnolli, D. Pogany, G. Strasser
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