AlN/GaN/Sapphire heterostructure for high-temperature packageless acoustic wave devices

F. Bartoli; Thierry Aubert; M. Moutaouekkil; Jeremy Streque; P. Pigeat; S. Zhgoon; A. Talbi; Hamid M'Jahed; Omar Elmazria

doi:https://doi.org/10.1016/j.sna.2018.08.011

AlN/GaN/Sapphire heterostructure for high-temperature packageless acoustic wave devices

F. Bartoli, Thierry Aubert, M. Moutaouekkil, Jeremy Streque, P. Pigeat, S. Zhgoon, A. Talbi, Hamid M'Jahed, Omar Elmazria

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Originalsprache	Englisch (Amerika)
Fachzeitschrift	Sensors and Actuators A: Physical
DOIs	https://doi.org/10.1016/j.sna.2018.08.011
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2018

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https://doi.org/10.1016/j.sna.2018.08.011

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TY - JOUR

T1 - AlN/GaN/Sapphire heterostructure for high-temperature packageless acoustic wave devices

AU - Bartoli, F.

AU - Aubert, Thierry

AU - Moutaouekkil, M.

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DO - https://doi.org/10.1016/j.sna.2018.08.011

M3 - Artikel

SN - 0924-4247

JO - Sensors and Actuators A: Physical

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