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Research for GaN Technologies, devices and applications to address the challenges of the future GaN roadmap
Binder, Alfred
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Artikel
Comparison of the parasitic Impedances from the Drain-Source Path of Power Transistor Packages at up to 2 GHz
Moldaschl, T.
,
Woetzel, S.
,
Latella, R.
,
Galvano, I.
&
Binder, A.
,
2021
,
in:
Engineering Reports.
Publikation
:
Beitrag in Fachzeitschrift
›
Artikel
›
Begutachtung
transistors
100%
impedance
95%
method of moments
49%
gallium nitrides
48%
inductance
44%